一、基本信息
姓 名：陈刚
性 别：男
籍 贯：江苏阜宁
出生年月：1972年4月
毕业院校：复旦大学
学历学位：研究生/博士
技术职务：研究员
导师类别：博导
工作部门：中国科学院上海技术物理研究所 物理室
联系电话：021-25051895
电子邮箱：gchen@mail.sitp.ac.cn
二、工作简历
2012.12至今，中国科学院上海技术物理研究所。
2002.10～ 2012.10，奥地利林茨大学，博士后、高级博士后。
三、学术兼职
无
四、科研工作简介
参与和主持科技部973重大专项、国家自然科学基金面上项目、上海市自然科学基金面上项目等科研项目。在Nature Communications，Advanced Materials，Nano Letters，ACS Nano，Science Advance，Small, Physical Review Letters, NPG Asia Materials等SCI杂志上发论文70余篇，引用700余次。主要从事四族半导体材料的生长与微纳光电子学应用方面的研究。
近年来的研究方向为：
1. 硅基半导体低维材料的分子束外延制备和光电探测应用；
2. 基于低维碳基材料的材料生长、光电探测机理与器件研究；
3. 基于新型狄拉克材料的太赫兹探测机理与器件研究；
4. 半导体表面微纳结构自组织生长机理与表征研究。
五、代表性论文专利
1. Colossal Terahertz Photoresponse at Room Temperature: A Signature of Type-II Dirac Fermiology, ACS NANO, 2021, 通讯作者。
2. PtTe2-based Type-II Dirac Semimetal and its vdW Heterostructure for Sensitive Room Temperature Terahertz Photodetection, Small, 2019, 通讯作者。
3. Efficient Raman Enhancement on High-Quality Ultra-Clean Graphene Quantum Dots Produced by a Quasi-Equilibrium Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, Nature Communications, 2018, 通讯作者。
4. Towards Sensitive Terahertz Detection via Thermoelectric Manipulation in Graphene Transistors, NPG Asia Materials, 2018, 通讯作者。
5. Formation of Ge Nanoripples on Vicinal Si (1110): from Stranski-Krastanow seeds to a perfectly facetted wetting layer, Physical Review Letters, 2012, 第一作者。
6. One-dimensional to three dimensional growth mode transition for SiGe on vicinal Si (1110), Physical Review Letters, 2012, 通讯作者。
7. From a high precision synthesis of monodisperse Indium, Tin, and Indium-Tin colloidal nanocrystals to transparent Indium-Tin-Oxide nanoelectrodes, ACS Nano, 2012, 通讯作者。
8. Damascene Process for Controlled Positioning of Magnetic Colloidal Nanocrystals, Advanced Materials, 2010, 通讯作者，第一作者。
六、培养学生情况
培养博士生3人，硕士生12人。
就业率：100%。主要就业去向：科研院所、高校、高科技企业等。
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研究生教育
