973计划“高性能近红外InGaAs探测材料基础研究及其航天应用验证”召开“材料器件探索及表征方法实践”专题学术研讨会

　　根据973 计划“高性能近红外InGaAs 探测材料基础研究及其航天应用验证”项目年度工作安排，2013年8月14日，“材料器件探索及表征方法实践”专题学术研讨会在上海微系统所顺利召开。项目顾问组专家匡定波院士、方家熊院士、李爱珍院士，首席科学家龚海梅研究员，课题负责人缪国庆研究员、张永刚研究员、韦欣研究员及学术骨干和研究生三十余人参加了会议。本次专题研讨会承办单位中科院上海微系统所齐鸣书记出席会议并致辞，他热忱欢迎各位专家和学术骨干莅临上海微系统所参加本次专题学术研讨会，并表示在龚首席的领导和各位院士、专家的指导下，项目中期取得了很好的进展，相信本次研讨会一定能够取得圆满成功。 

　　龚首席在项目总体报告中，回顾了项目申请过程和历次专题学术研讨会的情况，并依据8月13日项目中期总结会中各位专家在项目创新点、目标推进、人才培养和高水平论文等方面提出的意见，明确了各课题下一步研究任务和工作重点，同时在项目管理中设立“歌本哈根”奖，以鼓励大家在讨论中勇于质疑，提出问题。随后，张永刚研究员、韦欣研究员和郭作兴研究员等课题负责人和学术骨干分别做了“缺陷密度与暗电流关系思考与实践”、“微纳结构制备和性能检测”和“缺陷密度表征方法探讨”等11个专题报告。 

　　 与会专家和学术骨干在缺陷类型和缺陷密度表征、暗电流与缺陷密度的关联性、暗电流物理机制、衬底选择与优化处理技术、亚波长微纳结构集成和和器件工艺优化方法等方面进行了深入、细致的讨论，并针对具体问题和实施方案提出了许多宝贵的建议。项目顾问专家方家熊院士强调要加强涉及国际前沿科学问题的创新研究，并建议开展Si基InGaAs材料的探索研究，受到首席与会专家的赞同。 

最后，龚首席在总结发言中表示本次研讨会大家提问题的积极性明显提高，在讨论中出现的质疑和不同的声音都会促进项目研究工作；下一步各课题要围绕项目目标，进一步明确研究重点，各位学术骨干和研究生也要围绕科学问题，开拓创新，争取在后三年中取得更大的成绩！为期一天的专题学术交流会激烈而精彩，起到了良好的博采众长，凝聚共识的效果！