2014年10月5-9日，第十二届中红外光电子材料与器件国际会议在法国召开，来自美国、中国、法国、英国、德国、日本等十多个国家的百余名科研人员参加了会议。
中红外光电子材料与器件国际会议自1996年以来已成功举办12届，已成为中红外光电子领域的重要系列性国际会议。会议议题涵盖中红外光源与探测器及其相关物理、中红外光电器件在成像、气体检测、精密光谱及计量学等应用领域的研究进展、中红外光电子的产业化发展等方面。近两届会议又把议题拓展到远红外及至太赫兹频域的光电子材料与器件与中远红外纳米光子学等领域。
会议期间，上海技物所喜获2016年会议主办权，这是我国第二次获得该国际会议的主办权。上海技物所陈建新研究员在大会科学委员会会议上做了“2016年会议筹备情况”专题报告，经科学委员会讨论表决通过，确定第十三届中红外光电子材料与器件国际会议由中国科学院上海技术物理研究所、中国科学院红外成像材料与器件重点实验室主办，会议时间2016年9月19-22日，由何力研究员担任大会主席，会议地点定在北京。
陈建新研究员在此次会议上做了大会口头报告“High Performance LWIR InAs/GaSb superlattice photodiodes with a single barrier structure”，徐刚毅研究员做了大会特邀报告“Photonic Engineering in Terahertz Quantum Cascade Lasers”。
陈建新研究员做报告
徐刚毅研究员做报告
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