近日，由上海技术物理研究所硅器件室联合有关单位，在西安完成了256´256元MOS电阻阵列红外图像转换器的性能测试，并分别使用320´256中波和长波制冷型热像仪进行了成像演示，演示成像质量良好，中波表观温度范围0℃~300℃，长波表观温度范围0℃~200℃，帧频200Hz，表观温度非均匀性小于10%，200Hz帧频条件下一帧时内的温度保持水平优于97%，比技术协议指标要求提高70%，总体性能均达到或超过研制合同要求。
该项目研制的256´256电阻阵列红外图像转换器是国内首次研制的第二代中等规模的器件，总体技术指标处于国内领先水平，已具有工程实用价值，项目的圆满结题表明我所MOS电阻阵的研制进入了一个新的阶段，为“十二五”任务的争取奠定了良好的基础。
256´256电阻阵列长波红外图像
256´256电阻阵列中波红外图像
硅器件室 供稿
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