近期科技部发布2012年国家重点基础研究发展计划项目立项通知，上海技物所龚海梅研究员作为项目首席科学家的“高性能近红外InGaAs探测材料基础研究及其航天应用验证”项目获得资助。
该项目由中科院上海技术物理研究所作为第一承担单位，联合中科院长春光机所、中科院微系统所、中科院半导体所、南京大学、吉林大学共同承担。该项目为了我国航天遥感仪器跨代发展和未来世界一流光电探测系统的需要，以我国已部署的高分辨对地观测系统、载人航天和探月工程两个重大专项中的多种光电遥感仪器，对高性能近红外核心探测器的需求为牵引，开展低缺陷密度、高光电转换效率的近红外核心探测材料基础研究，解决航天应用需求的具有极低暗电流、高量子效率近红外探测器的瓶颈问题，对我国经济、社会、国家安全和科学技术的自身发展都具有重大意义。
面向国家战略需求，该项目以新思路发展近红外探测材料结构设计、材料生长及基于器件功能材料表征的新结构、新方法或新途径，探索并研发InGaAs材料体系，研究InGaAs异质探测材料体系能带精细结构和生长控制，研究失配体系的材料界面特性和缺陷行为，有效地改善材料的光电性能，建立材料微观结构和器件关键性能参数之间的动态联系，指导外延材料晶格质量、能带分布以及生长行为的控制，通过低缺陷密度、高光电转换效率的InGaAs异质探测材料深入系统的基础研究，形成我国与国际水平同步、具有鲜明特色和自主知识产权的近红外核心探测材料，高In组分异质材料的缺陷密度降低到1×105cm-2以下；同时与集成创新相结合，积极将基础研究成果应用于器件与系统的原理验证，研究由材料应用到器件过程中的新现象、新效应及其空间应用辐照机理，实现高灵敏度的原型器件，截止波长为2.5mm，暗电流密度在目前100nA/cm2的基础上降低两个数量级至1nA/cm2，量子效率由50％提高到80％以上，达到国际先进水平。项目的实施将为满足我国航天近红外遥感仪器跨代发展和中长期需求奠定科学技术基础和创新团队基础。
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