上海技物所一国际科技合作项目通过上海市科委验收

近日，由中国科学院上海技术物理研究所硅器件研究室承担的国际科技合作项目“亚微米和深亚微米CMOS场效应管在深低温下和超低温下的传导特性研究与物理建模”（编号：09530708500）顺利通过了上海市科委的验收。验收专家组评价该项目很好地完成了项目任务书的要求，部分技术指标达到了国际先进水平。

国际合作项目是上海市科委为了鼓励科研院所围绕关键技术开展对外科技合作，把握国际科技发展新动向，进一步提升自身科学研究水平和技术开发能力而开展的非政府间国际科技合作。该项目由硅器件室与法国斯特拉斯堡大学胡永才教授开展科技合作，耗时两年多。项目完成了深亚微米工艺CMOS场效应管在深低温下的电传导特性以及IC电路中的无源和有源器件的温变特性研究，通过系列化的MOS管设计及其在不同温度下电特性测量，获取了工作温度降低对CMOS电路特性的影响规律，建立了深低温下的电路仿真模型，并利用该模型设计深低温电路并进行了深低温验证，研制出了高性能深低温单元电路。