APS成像器件在民用成像、遥感等领域都有着重要的应用。上海技术物理研究所硅器件室围绕高性能APS器件技术的发展和相关任务的需求，2010年重点开展了面阵器件的攻关，目前已经研制出新的128×128和330×256器件，获得清晰的图像，取得关键突破。
新的128×128APS采用的是0.18μm的4T像素设计，单元像素小于10μm×10μm，器件研制一次成功，性能良好，为更大规模的APS器件研制奠定了基础。330×256APS采用的是0.5微米工艺，在可见光波段平均量子效率达到50%以上，用简易光学系统对330×256APS进行了成像试验，获得清晰照片（见附图），以上两种APS面阵器件的研制推动了APS技术的新发展。
图为330*256面阵成像图
附件下载：
新闻动态
