市纳米专项“In(Ga)As/GaAs量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究”顺利通过验收

    近日，由我所李天信博士后负责承担的上海市纳米专项“In(Ga)As/GaAs量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究”顺利通过专家组验收。
    项目组通过对异质外延的量子点生长动力学和摸索和掌握，应用分子束外延方法在GaAs衬底上生长了InAs表面量子点和In(Ga)As 5～10层嵌埋量子点。获得了高密度、尺寸相对均匀的量子点样品。通过在原子力显微镜上加装电流模块，选择使用导电微悬背，对In(Ga)As/GaAs量子点的局域电导特性进行了系统研究。得到了生长在不同掺杂特性（n型、p型）缓冲层上的表面量子点的扫描电流像。项目成果申报了两项专利。