“ALD法生长HfO2薄膜材料的研究”基金项目顺利结题

    近日，孟祥建博士负责承担的上海－应用材料研究与发展基金“ALD法生长HfO2薄膜材料的研究”经该基金办审批正式获准结题。项目首次将sol- gel技术与高压氧气相连用，成功在400摄氏度制备出了性能良好的PZT铁电薄膜材料，为与半导体工艺技术的集成提供了一条技术途径。同时，发现PMN －PT薄膜具有极化自锁定特性，并确定了PMNT薄膜的红外光学常数。为研制性能稳定的铁电薄膜大面积红外焦平面列阵器件提供了基础。项目发表论文12 篇，其中SCI收录8篇，培养博士研究生2名。