所创新项目“Si基碲镉汞外延技术”完成总结报告

近日，所创新项目“Si基碲镉汞外延技术”完成总结报告。     一年来，该项目取得如下主要成果：     在国内首次成功实现了用MBE的方法制备3英寸Si基CdTe（211）B复合衬底薄膜材料。研究结果将直接应用于大面积SHgCdTeIRFPA材料的生长制备，对提高器件可靠性，增大规模尺寸有重要价值，对下一代大规模红外焦平面器件的发展具有重大意义。研究成果获得国内外广泛关注，已提国内刊物论文2篇，国际会议特邀报告2篇，国际刊物论文2篇，申请国家发明专利1项。