一、基本信息
姓 名：谢浩
性 别：男
籍 贯：江苏句容
出生年月：1993年6月
毕业院校：中国科学院大学
学历学位：研究生/博士
技术职务：副研究员
导师类别：硕导
工作部门：中国科学院上海技术物理研究所 材器中心
电子邮箱：xiehao@mail.sitp.ac.cn
二、工作简历
2021年4月至今， 中国科学院上海技术物理研究所, 副研究员
2020年7月至2021年3月, 北京航空航天大学杭州创新研究院。
三、科研工作简介
研究方向：光子级超灵敏碲镉汞红外探测器结构设计，线性雪崩红外焦平面的大规模阵列制备与微纳异质集成制造技术，高速红外器件表征系统搭建及测试方法研究等。
在研项目：国家重大基础专题负责人，负责上海市自然科学基金青年项目、全重自主部署项目、博士后面上基金3项。作为骨干参与国自然重点仪器项目和中科院先导项目。
五、主要获奖成果
上海市“超级博士后”人才激励计划。
嘉定区D类精英人才项目。
首届上海市博士后创新创业大赛优胜奖（最高奖项）。
六、代表性论文专利
论文：
（1） Study on area-dependent multiplication region width and optimization of HgCdTe avalanche focal plane, Infrared Physics and Technology, 2025, 第 1 作者 通讯作者
（2） Study on the effect of implanted area on the multiplication region and characteristics of PIN HgCdTe avalanche photodiodes, Proc. of SPIE, 2025, 第 1 作者 通讯作者
（3） Study on dark current suppression of HgCdTe avalanche photodiodes for low flux photon detection, Applied Physics Letters, 2024, 第 1 作者 通讯作者
（4） Disclosing the carrier distributions in ion-implanted HgCdTe p-n junctions with scanning capacitance microscopy, AIP Advances, 2024, 第 3 作者
（5） Mid-infrared modulated photoluminescence mapping to investigate in-plane distributions of bandedge transitions in As-doped HgCdTe, Applied Physics Letters, 2023, 第 4 作者
（6） Study on high gain-bandwidth product HgCdTe MWIR electron avalanche photodiodes, Infrared Physics and Technology, 2023, 第 1 作者 通讯作者
（7） Design and fabrication of HgCdTe linear avalanche devices with low gain normalized dark current density, Proc. of SPIE, 2023, 第 1 作者 通讯作者
（8） Research on high gain-bandwidth product mid-wavelength infrared HgCdTe avalanche photodiodes, Proc. of SPIE, 2023, 第 1 作者 通讯作者
（9） Bandwidth characterization and optimization of high-performance mid-wavelength infrared HgCdTe e-avalanche photodiodes, Infrared Physics and Technology, 2023, 第 5 作者
（10） 碲镉汞光子计数型线性雪崩探测器 (特邀), 红外与激光工程, 2023, 第 5 作者
（11） Room-temperature InAsSb pBin detectors for mid-infrared application, Infrared Physics and Technology, 2023, 第 1 作者 通讯作者
（12） InAs based pBin MWIR Photodetectors Grown by Liquid Phase Epitaxy: Design, Fabrication and Characterization, Journal of Crystal Growth, 2023, 第 2 作者
（13） Modeling and characteristics of MWIR HgCdTe APD at different post-annealing processes, Infrared Physics and Technology, 2022, 第 4 作者
（14） Dark current and noise analysis for Long-wavelength infrared HgCdTe avalanche photodiodes, Infrared Physics and Technology, 2022, 第 6 作者
（15） Dynamically reconfigurable subwavelength optical device for hydrogen sulfide gas sensing, Photonics Research, 2021, 第 5 作者
（16） Investigation of surface morphology of InAs1-x-ySbxPy epilayers grown by liquid phase epitaxy, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 第 1 作者
（17） 基于液相外延的InAs基红外探测器InAsSbP阻挡层的仿真, Modeling of InAsSbP Blocking Barrier Grown by Liquid-Phase Epitaxy in InAs-Based Infrared Photodetector, 光学学报, 2019, 第 2 作者
（18） Liquid phase epitaxy growth and photoluminescence of InAs(1-x-y)Sb(x)P(y)epilayer, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2019, 第 1 作者
（19） Photoluminescence investigation of type-II GaSb/GaAs quantum dots grown by liquid phase epitaxy, INFRARED PHYSICS AND TECHNOLOGY, 2018, 第 3 作者
（20） Phonon replicas of type-II GaSb/GaAs quantum dot structure grown by liquid phase epitaxy, APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2018, 第 3 作者
（21） 两种液相外延模式生长GaAs0.9Sb0.1薄膜的性能, 激光与光电子学进展, 2017, 第 1 作者
专利：
（ 1 ） 一种基于垂直液相外延材料的碲镉汞双色雪崩探测器, 实用新型, 2025, 第 1 作者, 专利号: CN202420627242.2，已授权。
（ 2 ） 一种基于垂直液相外延材料的碲镉汞双色雪崩探测器及制备方法, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN202410370844.9，实质审查。
（ 3 ） InAs基室温宽波段红外光电探测器, 实用新型, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN202120239638.6，已授权。
（ 4 ） 一种InAs基室温宽波段红外光电探测器, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN202110116588.7，实质审查。
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