一、基本信息
姓 名：张燕辉
性 别：男
籍 贯：河北
出生年月：1983年2月
毕业院校：中国科学院研究生院
学历学位：研究生/博士
技术职务：副研究员
导师类别：硕导
工作部门：中国科学院上海技术物理研究所 红外科学与技术全国重点实验室
电子邮箱：zyhq@mail.sitp.ac.cn
二、工作简历
2022年11月至今 中国科学院上海技术物理研究所。
2011年6月至2022年11月 中国科学院上海微系统与信息技术研究所。
三、科研工作简介
2008年至2011年，在中国科学院上海技术物理研究所攻读博士学位，专注于传统III-V族半导体材料的MBE制备及表征研究。2011年博士毕业后，进入中国科学院上海微系统与信息技术研究所，致力于石墨烯等二维单晶薄膜的CVD法制备研究。研究重点包括石墨烯单晶生长机理、大面积单晶石墨烯薄膜制备及缺陷分析,以及过渡金属硫化物（TMDC）、六方氮化硼等2D材料的单晶制备及缺陷研究。2022年11月，返回中国科学院上海技术物理研究所，从事MBE半导体材料制备及器件研究。研究方向包括：传统半导体材料的MBE制备及器件研究；石墨烯等2D材料表面半导体材料的MBE生长及应用探索。在Small,Carbon, Nanoscale, Science China. Materials, Appl. Phys. Lett.等期刊发表论文60余篇，获得授权发明专利10余项。
四、代表性论文专利
代表性论文：
1.Yanhui Zhang#*, Haitao Jiang#, Zaihong Yang, Liuyan Fan, Ziteng Zhang, Can Zhou,Yajie Wang, Changlin Zheng,Xiaohao Zhou and Pingping Chen*, Effects of defects in graphene on molecular beam epitaxy of CdTe on graphene/Ge, Appl.Phys.Lett.2025,127,011904. (Featured article and cover)
2.Yanhui Zhang#*, Haitao Jiang#, Zaihong Yang, Liuyan Fan, Ziteng Zhang, Can Zhou,Xiaohao Zhou and Pingping Chen*, Growth of CdTe films on patterned graphene/Ge(100) by molecular beam epitaxy, Appl.Phys.Lett.2025,126,131902. (Featured article)
3.Runhan Xiao#, Qingyuan Luo#, Zhengyi Cao#, Chuang Tian#, Shuang Wang, Sunwen Zhao, Guanhua Zhang, Zhonghui Li, Yanhui Zhang*, Haibo Shu*, Yun Wu* and Guanghui Yu*, Hydrogen-modulation method for wafer-scale few-layer single-crystal graphene growth, Carbon 2023,213,118289.
4.Shuang Wang#, Degong Ding#, Pai Li#, Yanping Sui, Guanyu Liu, Sunwen Zhao, Runhan Xiao, Chuang Tian, Zhiying Chen, Haomin Wang, Chen Chen, Gang Mu, Yixin Liu, Yanhui Zhang*，Chuanhong Jin*, Feng Ding* and Guanghui Yu*, Concentration Phase Separation of Substitution-Doped Atoms in TMDCs Monolayer, Small 2023,2301027.
5.He Kang, Yanhui Zhang*, Yun Wu*, Shike Hu, Jing Li, Zhiying Chen, Yanping Sui, Shuang Wang, Sunwen Zhao, Runhan Xiao, Guanghui Yu*, Songang Peng, Zhi Jin and Xinyu Liu，Nondestructive visualization of graphene on Pt with methylene blue surface modification，Sci China Mater 2022,65,2763-2770.
6.H. Kang, P. Tang, H. Shu, Y. Zhang*, Y. Liang, J. Li, Z. Chen, Y. Sui, S. Hu, S. Wang, S. Zhao, X. Zhang, C. Jiang, Y. Chen, Z. Xue, M. Zhang, D. Jiang, G. Yu*, S. Peng, Z. Jin, X. Liu, Epitaxial Growth of Wafer Scale Antioxidant Single-crystal Graphene on Twinned Pt(111), Carbon 2021,181,225.
7.Yanhui Zhang#, Yanping Sui#, Zhiying Chen, He Kang, Jing Li, Shuang Wang, Sunwen Zhao, Guanghui Yu*, Songang Peng, Zhi Jin and Xinyu Liu, Role of hydrogen and oxygen in the study of substrate surface impurities and defects in the chemical vapor deposition of graphene, Carbon 2021,185,82-95.
8.Xiaoming Ge, Yanhui Zhang*, Lingxiu Chen, Yonghui Zheng, Zhiying Chen,Yijian Liang, Shike Hu, JingLi, Yanping Sui, Guanghui Yu*, Zhi Jin, Xinyu Liu, Mechanism of SiOx particles formation during CVD graphene growth on Cu substrates, Carbon 2018,139,989-998.
9. Yanhui Zhang#, Haoran Zhang, Feng Li, Haibo Shu*, Zhiying Chen, Yanping Sui, Yaqian Zhang, Xiaoming Ge, Guanghui Yu*, Zhi Jin, Xinyu Liu, Invisible growth of microstructural defects in graphene chemical vapor deposition on copper foil. Carbon 2016,96,237-242.
10.Y.H.Zhang#, B.Wang, H.R.Zhang, Z.Y.Chen, Y.Q.Zhang, B.Wang, Y.P.Sui, X.L.Li, G.H.Yu*, X.Y.Liu, Z.Jin,The distribution of wrinkles and their effects on the oxidation resistance of chemical vapor deposition graphene, Carbon 2014,70,81.
代表性授权发明专利：
1. He Kang; Guanghui Yu; Yanhui Zhang; Zhiying Chen; METHOD FOR CHARACTERIZING GRAPHENE ON PLATINUM SUBSTRATE, 授权日期：2023-10-3,美国,US 11,774,433 B2。
2.张燕辉，于广辉，肖润涵，陈志蓥，一种提高铜基合金衬底上多层石墨烯覆盖率的方法,授权日期：2023-6-2,中国, ZL202211368131.6。
3.张燕辉，于广辉，葛晓明，张浩然，陈志蓥，隋妍萍，邓荣轩,一种基于干法清洗工艺制备铜衬底的方法，授权日期：2019-4-30,中国，ZL201510934979.4。
4.张燕辉，于广辉，葛晓明，张浩然，陈志蓥，隋妍萍，邓荣轩,一种干法转移金属衬底上石墨烯的方法，授权日期2019-3-1，中国，ZL201510933644.0
五、培养学生情况
截止2025年7月，已毕业博士生2人，已毕业硕士生1人。就业率：100%.
主要就业去向：半导体、集成电路相关企业
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研究生教育
