徐超 副研究员

一、基本信息

姓    名：徐超                  

性    别：男                         

籍    贯：安徽宣城                

出生年月：1986年9月                    

毕业院校：中国科学院大学                                              

学历学位：研究生/博士                   

技术职务：副研究员                

导师类别：硕导                 

工作部门：中国科学院上海技术物理研究所 材器中心 

电子邮箱：charlesxu@mail.sitp.ac.cn                          

 二、工作简历

2012年6月至今 中国科学院上海技术物理研究所。

三、科研工作简介

主要从事红外半导体晶体材料生长技术及缺陷调控技术等方面的研究。

    在红外半导体晶体生长和缺陷控制领域，主要负责CdZnTe单晶生长技术，包括垂直布里奇曼法（VB），垂直梯度凝固法（VGF），移动加热器法（THM）等单晶生长技术的研究。在缺陷调控领域，主要从事晶体中非晶相缺陷和位错缺陷的抑制，衬底缺陷和碲镉汞外延材料性能相关性等方面的研究。

    在碲锌镉单晶材料和缺陷控制领域的十年研究工作中，作为项目负责人先后完成了国家，中国科学院级以及国家自然科学青年基金等多个项目的研究工作。

    在J. Electron Mater，J .Cryst Growth，Crystal research &Technology，红外与毫米波学报，红外等国内外SCI和EI学术刊物上发表十来篇学术论文，以及申请数篇专利并授权。

四、代表性论文专利

1. C. Xu, J. Zhang, C.H. Zhou, et al, J. Cryst. Growth 2024, vol. 633, p. 127670. ; 

2. C. Xu, S.S Li and C.H. Zhou, J. Electron. Mater. 2024. ; 

3. Xu, S. W. Sun, J. R. Yang, et al, J. Infrared Millimeter Waves 2019, vol. 38, pp. 325-330. ; 

4.C. Xu, C. H. Zhou, S. W. Sun, H. X. Yu and J. R. Yang, Cryst. Res. Technol. 2018, vol. 53. ;

5.C. Xu, F. F. Sheng and J. R. Yang, J. Electron. Mater. 2017, vol. 46, pp. 5168-5173. ; 

6.C. Xu, F. F. Sheng and J. R. Yang, J. Cryst. Growth 2016, vol. 451, pp. 126-131. 

专利：CN201410748540.8，CN201610406792.1，CN201420597484