甘志凯 副研究员

　　一、基本信息  

　　姓    名：甘志凯                     

　　性    别：男                            

　　籍    贯：上海                   

　　出生年月：1989年10月                       

　　毕业院校：上海交通大学  

　　学历学位：研究生/博士                      

　　技术职务：副研究员                    

　　导师类别：硕导                    

　　工作部门：中国科学院上海技术物理研究所  材器中心  

　　联系电话：13761911272                   

　　电子邮箱：ganzhikai@mail.sitp.ac.cn                             

　　二、工作简历  

　　2017.07至今  中国科学院上海技术物理研究所。  

　　三、科研工作简介  

　　主要从事小像元碲镉汞红外焦平面的研制以及碲镉汞工艺仿真的研究。器件研制方面包括碲镉汞小像元焦平面结构设计、工艺研究与器件性能评价；理论方面主要研究碲镉汞器件离子注入、退火等工艺过程的物理性质及其仿真程序的建立。  

　　四、代表性论文专利  

　　1. Zhikai Gan, Yu Zhao, Chun Lin, Quanzhi Sun, Xi Wang, Xun Li, Study of lateral junction drive-in after annealing in Ion implanted HgCdTe, Journal of Vaccum Science & Technology B, 2022, 40: 062206.   

　　2. Zhikai Gan, Yu Zhao, Chun Lin, Quanzhi Sun, Songmin Zhou, Xi Wang, Xun Li, 2D modeling of annealing process after ion implantation in n-on-p HgCdTe, Journal of Electronic Materials, 2023, 52: 2871-2877.