林铁 高级工程师

　　一、基本信息 

　　姓    名：林铁                    

　　性    别：男                           

　　籍    贯：福建省连江县                  

　　出生年月：1978年11月                      

　　毕业院校：中国科学院研究生院                                                      

　　学历学位：研究生/博士                     

　　技术职务：高级工程师                   

　　导师类别：硕导                   

　　工作部门：中国科学院上海技术物理研究所 物理室 

　　联系电话：021-25051871                  

　　电子邮箱：lin_tie@mail.sitp.ac.cn                             

　　二、工作简历 

　　2005年3月至今，中科院上海技术物理研究所。 　  

　　三、科研工作简介 

　　从事红外光电探测材料与器件的应用基础研究，包括低维结构半导体电学输运和光电特性研究、铁电/二维材料复合结构光电响应新机理研究等。主持国家自然科学基金面上项目和青年基金面上项目各1项，主持上海市自然科学基金项目1项。参与科技部、国家自然科学基金委和上海市科委等多项课题。参与FY3-04卫星光路校准系统非制冷红外探测组件的研制，保证了国家重大任务的顺利实施。在Nature Electronic、Nature Commun.、Phys. Rev B、Appl. Phys. Lett 等期刊发表学术文章110余篇。 　　  

　　四、代表性论文专利 

　　1. Shukui Zhang, Xudong Wang, Yan Chen, Guangjian Wu, Yicheng Tang, Liqing Zhu, Haoliang Wan, Wei Jiang, Liaoxin Sun, Tie Lin, Hong Shen, Weida Hu, Jun Ge, Jianlu Wang, Xiangjian Meng, and Junhao Chu. Ultrasensitive hybrid MoS2-ZnCdSe quantum dot photodetectors with high gain. Acs Applied Materials & Interfaces, 2019, 11(26):23667–23672. 

　　2. Shuaiqin Wu, Xudong Wang, Wei Jiang, Luqi Tu, Yan Chen, Jingjing Liu, Tie Lin, Hong Shen, Jun Ge, Weida Hu, Xiangjian Meng, Jianlu Wang, and Junhao Chu. Interface engineering of ferroelectric-gated MoS2 phototransistor. Science China Information Sciences, 2021, 64(4):140407. 

　　3. Guangjian Wu, Xudong Wang, Yan Chen, Shuaiqin Wu, Binmin Wu, Yiyang Jiang, Hong Shen, Tie Lin, Qi Liu, Xinran Wang, Peng Zhou, Shantao Zhang, Weida Hu, Xiangjian Meng, Junhao Chu, and Jianlu Wang. MoTe2 p-n homojunctions defined by ferroelectric polarization. Adv. Mater., 2020, 32(16):1907937. 

　　4. Guangjian Wu, Bobo Tian, Lan Liu, Wei Lv, Shuang Wu, Xudong Wang, Yan Chen, Jingyu Li, Zhen Wang, Shuaiqin Wu, Hong Shen, Tie Lin, Peng Zhou, Qi Liu, Chungang Duan, Shantao Zhang, Xiangjian Meng, Shiwei Wu, Weida Hu, Xinran Wang, Junhao Chu, and Jianlu Wang. Programmable transition metal dichalcogenide homojunctions controlled by nonvolatile ferroelectric domains. Nature Electronics, 2020, 3(1):43-50. 

　　5. Binmin Wu, Xudong Wang, Hongwei Tang, Wei Jiang, Yan Chen, Zhen Wang, Zhuangzhuang Cui, Tie Lin, Hong Shen, Weida Hu, Xiangjian Meng, Wenzhong Bao, Jianlu Wang, and Junhao Chu. Multifunctional MoS2 transistors with electrolyte gel gating. Small, 2020, 16(22):2000420.