
一、基本信息
姓 名:孙常鸿
性 别:男
籍 贯:上海
出生年月:1984年10月
毕业院校:中国科学院研究生院
学历学位:研究生/博士
技术职务:副研究员
导师类别:硕导
工作部门:中国科学院上海技术物理研究所 红外探测全国重点实验室
联系电话:15000226976
电子邮箱:sunch@mail.sitp.ac.cn
二、工作简历
2012年9月至今,中国科学院上海技术物理研究所。
三、科研工作简介
主要从事CMOS可见光硅探测器芯片工艺、碲镉汞红外探测器芯片工艺、大面阵与超大面阵红外探测器设计、制备及评价技术、软件工程等方面的研究工作。作为项目骨干成员,研制成功了碲镉汞硅基面阵红外焦平面探测器,实现了同规模探测器首次航天应用;作为探测器项目主管设计师,研制成功了目前国内单颗阵列规模最大的面阵红外焦平面探测器;针对超大面阵探测器开发了多种数据分析软件并投入实际应用。主持国家自然科学基金青年基金一项,所创新专项两项,曾任多个型号项目的红外探测器主管设计师,目前担任多个型号项目的可见光探测器主管设计师。获得上海市科技进步一等奖一项,发表学术论文十余篇,申请专利十余项。
四、主要获奖成果
上海市科技进步一等奖 (硅基碲镉汞红外焦平面成像器件技术,2017年)
五、代表性论文专利
1、Precise measurement of weak dark current for Small-Pixel infrared photon detectors, Infrared Physics and Technology, 2026,152:106193(通讯作者)
2、Distribution of potential in the p-region of HgCdTe n-on-p large-format focal plane arrays, Infrared Physics and Technology, 2026,152:106553(通讯作者)
3、A very thin MCT film in HDVIP achieves high absorption, Sensors, 2025, 1, 0(通讯作者)
4、Evaluation of flip-chip bonding electrical connectivity for ultra-large array infrared detector,Optics Express,2024,32(7): 10777-10785(通讯作者)
5、Systematic prediction method for flip-chip bonding connectivity of ultra-large array infrared detector,Optics Express,2024, 32(7): 10841-10850(通讯作者)
6、一种连续盲元识别标注与统计方法、系统及存储介质(授权发明专利),ZL202311066035.0(第一发明人)
六、培养学生情况
截止2026年7月,在读博士生1人(二导)。
已毕业博士生2人(协助培养),已毕业硕士生0人。就业率:100%.
主要就业去向:国内研究所
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