孙常鸿  副研究员

　　一、基本信息 

　　姓    名：孙常鸿                    

　　性    别：男                           

　　籍    贯：上海                  

　　出生年月：1984年10月                      

　　毕业院校：中国科学院研究生院                                                      

　　学历学位：研究生/博士                     

　　技术职务：副研究员                   

　　导师类别：硕导                   

　　工作部门：中国科学院上海技术物理研究所 材器中心 

　　联系电话：15000226976                  

　　电子邮箱：sunch@mail.sitp.ac.cn 

　　二、工作简历 

　　2012年9月至今，中国科学院上海技术物理研究所。

　　三、科研工作简介 

主要从事碲镉汞红外探测器芯片工艺、大面阵与超大面阵红外探测器设计、制备及评价技术、软件工程等方面的研究工作。作为项目骨干成员，研制成功了碲镉汞硅基面阵红外焦平面探测器，实现了同规模探测器首次航天应用；作为探测器项目主管设计师，研制成功了目前国内单颗阵列规模最大的面阵红外焦平面探测器；针对超大面阵探测器开发了多种数据分析软件并投入实际应用。主持国家自然科学基金青年基金一项，上海技物所创新专项两项，目前担任多个型号项目的探测器主管设计师。获得上海市科技进步一等奖一项，发表学术论文十余篇，申请专利十余项。

　　四、主要获奖成果 

　　上海市科技进步一等奖 （硅基碲镉汞红外焦平面成像器件技术，2017年）

　　五、代表性论文专利 

1、ZnS thin films grown by atomic layer deposition on GaAs and HgCdTe substrate at very low temperature, Infrared Physics and Technology, 2017，85:280-286（第一作者）

2、硫化锌薄膜的原子层沉积生长及表征，红外，2017，38(1):1-6（第一作者）

3、Evaluation of flip-chip bonding electrical connectivity for ultra-large array infrared detector，Optics Express，2024，32(7): 10777-10785（通讯作者）

4、Systematic prediction method for flip-chip bonding connectivity of ultra-large array infrared detector，Optics Express，2024, 32(7): 10841-10850（通讯作者）

5、用于多级冷屏的光敏元响应率非均匀性校正方法及系统（发明专利），CN202311072891.7（第一发明人）

　　六、培养学生情况 

截至2024年10月，在读博士生1人（二导），在读硕士生1人（二导）。

已毕业博士生1人（协助培养），已毕业硕士生0人。就业率：100%.

主要就业去向：国内研究所