孙常鸿 副研究员

　　一、基本信息 

　　姓    名：孙常鸿                    

　　性    别：男                           

　　籍    贯：上海                  

　　出生年月：1984年10月                      

　　毕业院校：中国科学院研究生院                                                      

　　学历学位：研究生/博士                     

　　技术职务：副研究员                   

　　导师类别：硕导                   

　　工作部门：中国科学院上海技术物理研究所 材器中心 

　　联系电话：15000226976                  

　　电子邮箱：sunch@mail.sitp.ac.cn                             　　  

　　二、工作简历 

　　2012.07至今，中国科学院上海技术物理研究所。 　　  

　　三、科研工作简介 

　　主要研究方向为碲镉汞红外探测器芯片工艺、面阵红外探测器设计及制备技术。研制了碲镉汞硅基面阵红外焦平面探测器，实现了同规模探测器首次航天应用。曾主持国家自然科学基金青年基金一项，所创新专项两项。目前担任多个型号项目的探测器主管设计师。 　　  

　　四、主要获奖成果 

　　上海市科技进步一等奖 （硅基碲镉汞红外焦平面成像器件技术，2017年）   　  

　　五、代表性论文专利 

　　1. C.H.Sun, P.Zhang, T.N.Zhang, et al., ZnS thin films grown by atomic layer deposition on GaAs and HgCdTe substrate at very low temperature, Infrared Physics and Technology, 2017，85:280-286 

　　2. 孙常鸿，张鹏，张天宁，等，硫化锌薄膜的原子层沉积生长及表征，红外，2017，38(1):1-6 

　　3. Ailiang C, Changhong, S, Wang Fang, et al., Electrical properties of plasma-free ultra-low-temperature ALD ZnS passivation on p-type HgCdTe, Infrared Physics and Technology, 2021,114,103667 　  

　　六、培养学生情况 

　　截止2022年7月，在读硕士生1人，已毕业博士生1人（含作为二导）。就业率：100%。主要就业去向：科研院所、高校、高科技企业等。