一、基本信息
姓 名：徐志成
性 别：男
籍 贯：山东东营
出生年月：1986年10月
毕业院校：中国科学院研究生院
学历学位：研究生/博士
技术职务：副研究员
导师类别：硕导
工作部门：中国科学院上海技术物理研究所 材器中心
电子邮箱：xuzhch@mail.sitp.ac.cn
二、工作简历
2014年至今，中国科学院上海技术物理研究所。
三、科研工作简介
主要从事锑化物超晶格红外材料与器件相关研究，研制的锑化物超晶格材料成功实现我国第一个中波、长波、双色焦平面器件的制备。主持或参与了中科院联合基金重大项目、中科院重点实验室基金、国家自然科学青年基金、上海市自然科学基金、中科院知识创新工程专项等多个工程或研究类项目。近年来的研究方向包括锑化物低维量子结构材料分子束外延生长与机理研究、超晶格红外光电器件结构材料生长、性能评价及器件物理特性研究等。曾荣获中科院上海技术物理研究所优秀青年标兵等荣誉。
四、代表性论文专利
1. Liang Wang ; Zhicheng Xu *; Jiajia Xu ; feng dong ; Fangfang Wang ; Zhizhong Bai ; Yi Zhou ; Chai xuliang; hui Li;Ruijun Ding;Jianxin Chen;Li He "Fabrication and Characterization of InAs/GaSb type-II Superlattice Long-Wavelength Infrared Detectors Aiming High Temperature Sensitivity," in Journal of Lightwave Technology, vol. 38, no. 21, pp. 6129-6134, 1 Nov.1, 2020, doi: 10.1109/JLT.2020.3005974.
2. Chenxu Meng, Jinlan Li, Le Yu, Xiaomu Wang, Ping Han, Feng Yan, Zhicheng Xu*, Jianxin Chen, and Xiaoli Ji, "Investigation of a noise source and its impact on the photocurrent performance of long-wave-infrared InAs/GaSb type-II superlattice detectors," Opt. Express 28, 14753-14761 (2020)
3. Wu, Jia，Xu, Zhicheng，Chen, Jianxin，He, Li. Temperature-dependent photoluminescence of the InAs-based and GaSb-based type-II superlattices[J]. Infrared Physics & Technology, 2018:S1350449518300690.
4. Xu, Zhicheng; Chen, Jianxin* ; Wang, Fangfang; Zhou, Yi; Bai, Zhizhong; Xu, Jiajia; Xu, Qingqing; Jin, Chuan; He, Li; MBE growth and characterization of type-II InAs/GaSb superlattices LWIR materials and photodetectors with barrier structures , Journal of Crystal Growth, 2017, 477: 277-282.
5. Xu, Zhicheng; Chen, Jianxin* ; Wang, Fangfang; Zhou, Yi; He, Li; High performance InAs/GaAsSb superlattice long wavelength infrared photo-detectors grown on InAs substrates , Semiconductor Science and Technology, 2017, 32(5): 0-055011.
五、培养学生情况
截止2021年7月，已毕业博士生1人、硕士生1人（含作为二导）。毕业生主要就业去向：科研院所、高校、高科技企业等。
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研究生教育
