姓 名：王芳芳
性 别：女
籍 贯：河南周口
出生年月：1981年6月
毕业院校：同济大学
学历学位：研究生/博士
技术职务：副研究员
导师类别：硕导
工作部门：中国科学院上海技术物理研究所 材器中心
电子邮箱：wangfangfang@mail.sitp.ac.cn
二、工作简历
2011.6至今，中国科学院上海技术物理研究所。
三、科研工作简介
2011年至2017年作为III-V族材料生长的科研骨干，承担了多个国家级项目中材料MBE生长方面的工作，包括III-V族化合物半导体材料的制备，中波、长波、双色II类超晶格材料的制备，THz激光器结构材料的制备等。并参与了超晶格材料能带计算与设计、材料生长动力学模型研究、材料表征与分析、单元器件制备与测试等系统的研究工作。在国际上首次开展了 InAs 基II类超晶格材料的MBE生长研究及其单元器件制备研究，并在国际上率先报道了InAs 基 InAs/GaAsSb II类超晶格材料及其红外探测器。期间主持了包括国家青年科学基金、上海市自然科学基金、中国科学院知识创新工程前沿性项目在内的多个项目的研究工作。并参与了GF科技创新基金、十三五光电子预研、先进材料预研等多个项目的研究工作。
自2017年起主要从事超晶格焦平面的研制，在高密度微小台面刻蚀与侧壁钝化、金属电极沉积、小铟孔光刻、铟柱倒焊互联、衬底减薄与去除等方面开展了系统的技术研究，并研制出一系列不同波段、不同规模的超晶格红外焦平面器件。包括18微米中心距1K×1K长波超晶格焦平面器件，15微米中心距640×512带间级联探测器等。并获得了清晰的成像验证。
四、主要获奖成果
中国科学院上海技术物理研究所2018年度创新专项二等奖 （基于InAs衬底的16微米甚长波超晶格红外探测器暗电流机理及其抑制研究）
中国科学院上海技术物理研究所2015年度创新专项优秀奖 （新型InAs基甚长波InAs/GaSb II类超晶格生长探索）
五、代表性论文专利
1. Fangfang Wang, Zhicheng Xu, Zhizhong Bai, Hui Li, Yi Zhou, Jianxin Chen, and Li He. Fabrication of a 1024×1024 format long wavelength infrared focal plane array based on type-II superlattice and barrier enhanced structure. Infrared Physics and Technology, 2021, 115: 103700.
2. Fangfang Wang, Jianxin Chen*, Zhicheng Xu, Yi Zhou, Li He. Performance comparison between the InAs-based and GaSb-based type-II superlattice photodiodes for long wavelength infrared detection. Optics Express, 2017, 25(3): 1629-1635.
3. Fangfang Wang, Jianxin Chen*, Zhicheng Xu, Yi Zhou, Li He. InAs-based InAs/GaAsSb type-II superlattices: Growth and characterization. Journal of Crystal Growth, 2015, 416: 130-133.
4. Fangfang Wang, Jianxin Chen*, Zhicheng Xu, Yi Zhou, Li He. InAs-based type-II superlattice long wavelength photodetectors. Proc. of SPIE, 2016, 9755: 975519.
5. Fangfang Wang, Jianxin Chen*, Zhicheng Xu, Yi Zhou, Qingqing Xu, Li He. Molecular beam epitaxy growth of high quality InAs/GaSb type-II superlattices for long wavelength infrared detection. Proc. of SPIE, 2014, 9300: 930008.
6. Chuan Jin, Fangfang Wang, Qingqing Xu, Chengzhang Yu, Jianxin Chen*, Li He. Beryllium compensation doped InGaAs/GaAsSb superlattice photodiodes. Journal of Crystal Growth, 2017, 477: 100-103.
7. Huan Zhu, Fangfang Wang, Quan Yan, Chenren Yu, Jianxin Chen, Gangyi Xu*, Li He, Lianhe Li, Li Chen, A. Giles Davies, Edmund H. Linfield, Jiaming Hao, Pierre-Baptiste Vigneron, Raffaele Colombelli. Terahertz master-oscillator power-amplifier quantum cascade lasers. Applied Physics Letters, 2016, 109: 231105.
8. 王芳芳，陈建新，徐志成，周易。 一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构及制备方法，2016. 4. 20，中国，CN201610020793.2
9. 王芳芳，陈建新，徐志成，周易。 一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构，2016. 8.31，中国，ZL201620028541.X
10. 王芳芳，陈建新，徐志成，余成章。一种砷化铟基II类超晶格结构及制备方法，2017. 02.15，中国，CN201610893905.5
11. 陈建新，王芳芳，徐志成，周易，徐庆庆。基于砷阀开发的II类超晶格结构及制备方法，2016.1.13，中国，ZL201310470180.5
12. 周易，陈建新，王芳芳，徐志成。无铝型II类超晶格长波双势垒红外探测器， 2016-12-14，中国，CN201620483351.7
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