王文娟 研究员

一、基本信息

    名:王文娟                  

    别:女                         

    贯:江苏                

出生年月:19808                  

毕业院校:北京邮电大学                                                 

学历学位:研究生/博士                    

技术职务:研究员                 

导师类别:博导                 

工作部门:中国科学院上海技术物理研究所 物理室             

联系电话:021-25051874               

电子邮箱:wangwj@mail.sitp.ac.cn                           

二、工作简历

2007.07至今,中国科学院上海技术物理研究所。

2012.04-2012.12,新加坡南洋理工大学,Research fellow.

三、科研工作简介

面向量子信息技术的应用需求,主要从事InP基近红外单光子探测技术研究,内容涵盖:微纳光学结构设计、器件理论模拟、器件结构设计与制备、近红外单光子探测性能测试与分析等。实现的近红外单光子探测器与国际同类产品的性能相当,成功实现了表面等离激元耦合光腔与InPAPD单光子探测器的有效集成,实现了暗电流近两个量级的降低,暗电流水平优于国际同类器件。承担或作为重要骨干参与InPAPD单光子探测器相关的国家重点研发计划、中科院先导B项目、国家预研项目、国家自然科学基金项目、上海市科委重大项目等。

四、代表性论文专利

1. High performance InGaAs/InP avalanche photodiode integrated with metal-insulator-metal microcavityHan H, Zhu Y C, Guo Z L, Li Z F, Qu H D, Gao W T, Wang D, Wang W J*Optical and Quantum Electronics, 2021,53(6).

2. InGaAsP/InP single photon avalanche diodes with ultrahigh photon detection efficiencyZhou Min; Wang Wenjuan*; Huidan Qu; Hao Han; Yicheng Zhu; Zilu Guo; Lu Gui; Xianying Wang; Wei LuOptical and Quantum Electronics, 2020, 52: 299. 

3. J. Wen, W. J. Wang*, X. R. Chen, N. Li, X. S. Chen, and W. Lu, Origin of large dark current increase in InGaAs/InP avalanche photodiode, J. Appl. Phys, 2018, 123, 161530.

4. J. Wen, W. J. Wang*, N. Li, Z. F. Li, W. Lu*, Plasmonic optical convergence microcavity based on the metal-insulator-metal microstructure, Appl. Phys. Lett., 2017, 110, 231105.

5. J. Wen, W. J. Wang*, N. Li, Z. F. Li, W. Lu, Light enhancement by metal-insulator-metal plasmonic focusing cavity, Opt Quant Electron, 2016, 48:150.

6. 王文娟,李雪,陆卫,龚海梅,朱海军,丁瑞军,韩勤,王涛,低维半导体异质结构光电探测材料及器件验证, 红外与毫米波学报, 2016, 35( 6), 766-76.

7. Q. Y. Zeng, W. J. Wang*, J. Wen, P. X. Xu, W. D. Hu, Q. Li, N. Li, W. Lu, Dependence of dark current on carrier lifetime for InGaAs/InP avalanche photodiodes, Opt Quant Electron, 2015, 47: 1671-1677.

8. Q.Y.Zeng, W.J.Wang*, J.Wen, L.Huang, X.H.Liu, N.Li, W.Lu*, Effect of surface charge on the dark current of InGaAs/InP avalanche photodiodes, J. Appl. Phys, 2014, 115,164512.

9. Q. Y. Zeng, W. J. Wang*, W. D. Hu, N. Li, W. Lu, Numerical Analysis of Multiplicat- ion Layer on Dark Current for InGaAs/InP Single Photon Avalan-che Diodes, Opt Quant Electron, 2014, 46:12031208.

10. Mid-infrared polarization-controlled broadband achromatic metadeviceKai Ou#; Feilong Yu#; Guanhai Li*; Wenjuan Wang; Andrey E. Miroshnichenko*; Lujun Huang; Peng Wang; Tianxin Li; Zhifeng Li; Xiaoshuang Chen*; Wei LuScience Advances, 2020, (6)

11. Tunable phase change polaritonic perfect absorber in the mid-infrared regionCHUANYAN PENG; KAI OU; GUANHAI LI*; XIAOYAN LI; WENJUAN WANG; ZENGYUE ZHAO; XIAOYAN LI; XIAOSHUANG CHEN*; WEI LUOptics Express, 2020, 28(8). 

12. Selectively thermal radiation control in long-wavelength infrared with broadband all-dielectric absorberZENGYUE ZHAO; GUANHAI LI*; TAO SU; FEILONG YU; YAFENG ZHANG; WENJUAN WANG; WEIWEI MEN; ZHIQIANG WANG; LIXIN XUAN; XIAOSHUANG CHEN*; WEI LUOptics Express, 2019, 27(24): 35088-35095.

13. Wenjin Luo, Qianchun Weng, Mingsheng Long, Peng Wang, Fan Gong, Hehai Fang, Man Luo, Wenjuan Wang, Zhen Wang, Dingshan Zheng, Weida Hu, Xiaoshuang Chen, and Wei Lu, Room-Temperature Single-Photon Based on Single Nanowire, Nano Lett., 2018, 18, 54395445.

14. Jiao Xu, Xiaoshuang Chen, Wenjuan Wang, Wei LuExtracting dark current components and characteristics parameters for InGaAs/InP avalanche photodiodesInfrared Physics & Technology 2016, 76, 468473.

15. 王文娟; 诸毅诚; 李冠海; 陆卫; 陈平平; 陈效双; 曲会丹; 高万甜,一种基于超表面透镜的小像元红外焦平面探测器,2021.1.26, 中国, 202110100758.2. 

16. 陆卫; 王文娟; 鹿建, 一种基于圆偏振态编码的全天时量子通信方法, 2020.11.24, 中国, 201810330223.2.

17. 顾溢; 陈平平; 王文娟; 马英杰; 张永刚; 邵秀梅; 李雪; 龚海梅,一种雪崩探测器过渡层结构及制备方法,2020.6.26, 中国, 201811274488.1.

18. 陆卫; 李倩; 曾巧玉; 陈效双; 王文娟; 李宁; 李志锋, APD红外探测器及其制作方法, 2014.12.10, 中国, 2011101990999.

19. 李志锋; 景友亮; 陆卫; 李宁; 陈效双; 陈平平; 李天信; 王文娟; 甄红楼;王少伟, 适用于高光谱成像的波段选择性增强量子阱红外焦平面, 2017.5.3, 中国, 201510607541 .5.

五、培养学生情况

截止20217月,在读博士生2人,在读硕士生3人。已毕业博士生2人,已毕业硕士生2人。就业率:100%。主要就业去向:科研院所、高校、高科技企业等。

 

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