马英杰  副研究员

　　一、基本信息 

　　姓    名：马英杰                    

　　性    别：男                           

　　籍    贯：安徽                 

　　出生年月：1988年8月                      

　　毕业院校：复旦大学                                                     

　　学历学位：研究生/博士                     

　　技术职务：副研究员                 

　　导师类别：硕导                   

　　工作部门：中国科学院上海技术物理研究所 组件室 

　　联系电话：021-25051448                  

　　电子邮箱：mayingjie@mail.sitp.ac.cn                     　　  

　　二、工作简历 

　　2018.09至今，中国科学院上海技术物理研究所。 

　　2014.07～2018.08,中国科学院上海微系统与信息技术研究所。 

　　（其中：2016.07～2018.03,美国加州大学洛杉矶分校访问学者） 　

　　三、学术兼职 

现任IEEE电气电子工程师学会高级会员（IEEE Senior Member）

《Electronics》《Micromachines》期刊客座主编

IPS、IEDS和OSA会员

《Opt. Express》《Appl. Opt.》等期刊审稿人

曾任第20届国际分子束外延大会组委会委员

　　四、科研工作简介 

主要研究方向为短波红外探测器材料与器件物理、新原理光电器件、单光子雪崩探测器、焦平面探测器组件研究等。主持国家自然科学基金面上项目、国家某部委重大基础研究项目课题、中科院重点部署项目课题、上海市自然科学基金等项目或课题。参与承担国家重点研发计划、上海市重大基础研究、民口973等项目。在Advanced Optical Materials、IEEE Journal of Selected Topics on Quantum Electronics、IEEE Journal of Lightwave Technology等期刊上发表SCI论文100余篇，其中第一和通讯作者论文28篇，他引超600次，H因子14。申请发明专利22件，已授权12件，4项已实现成果转化。出版《半导体光谱测试方法与技术》和《硅锗低维材料可控生长》专著2部。

获上海市青年科技启明星（2021），IEEE国际电气与电子工程师协会高级会员（2021），上海技物所启明星研究员（2023）。 

　　五、主要获奖成果 

2-3 微米波段InP 基无锑量子阱激光器材料、器件及应用, 三等奖, 省级, 2015

　　六、代表性论文专利 

论文：

（1）InGaAsP/InP Geiger-Mode Avalanche Photodiode Towards Sub-kHz Dark Count Rate at 20% Photon Detection Efficiency, IEEE Journal of Lightwave Technology, 2022, 第1作者

（2）Dislocation Evolvement in Metamorphic In0.83Ga0.17As/InP Photodetectors Through Ex-Situ Rapid Thermal Annealing, IEEE Journal of Quantum Electronics, 2022, 通讯作者

（3）Noise behaviors of SWIR InxGa1-xAs/InP focal plane arrays as a function of lattice-mismatch degree, Infrared Physics & Technology, 2022, 通讯作者

（4）High Temperature Behaviors of 1–2.5 μm Extended Wavelength In0.83Ga0.17As Photodetectors on InP Substrate, IEEE Journal of Quantum Electronics, 2021, 通讯作者

（5） 320×256 Extended Wavelength InxGa1-xAs/InP Focal Plane Arrays: Dislocation Defect, Dark Signal and Noise, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2021, 第 1 作者

（6）Surface Leakage Behaviors of 2.6 μm In0.83Ga0.17As Photodetectors as a Function of Mesa Etching Depth, IEEE Journal of Quantum Electronics, 2020, 通讯作者

（7）Towards Surface Leakage Free High Fill-Factor Extended Wavelength InGaAs Focal-Plane Arrays, IEEE Journal of Quantum Electronics, 2019, 第 1 作者

（8）Electron-initiated low noise 1064 nm InGaAsP/InAlAs avalanche photodetectors, Optics Express, 2018, 第 1 作者

（9） Enhanced Carrier Multiplication in InAs Quantum Dots for Bulk Avalanche Photodetector Applications, Advanced Optical Materials, 2017, 第 1 作者

授权发明专利：

（ 1 ） 一种小中心距焦平面探测器的铟球阵列制造方法, 发明, 2020, 第 1 作者, 专利号: ：ZL20201 0623570.1

（ 2 ） 一种宽谱铟镓砷焦平面的结构及其制备方法, 发明, 2022, 第 3 作者, 专利号: ：ZL202210123379.X

（ 3 ）带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器及制备方法，发明, 2019, 第 7 作者, 专利号: ：ZL201910618698.6

（ 4 ） 一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层生长方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201611153882.0

（ 5 ） 一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL201510947270.8

（ 6 ） 一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL201610847176.X

（ 7 ） 一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL201410729324.9

（ 8 ） 一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: ZL201510952593.6

发表著作：

（1）硅锗低维材料可控生长，科学出版社（北京） ，2021-03，第1署名作者

（2）半导体光谱测试方法与技术, 科学出版社（北京）, 2016-01, 第 3 署名作者

　　七、培养学生情况 

截至2024年7月，在读博士生2人（含二导），在读硕士生4人（含二导）。

已毕业博士生1人，已毕业硕士生1人。就业率：100%。

主要就业去向：半导体行业等大型企业。