马英杰  研究员

一、基本信息 

    姓    名：马英杰                    

    性    别：男                           

    籍    贯：安徽                 

    出生年月：1988年8月                      

    毕业院校：复旦大学                                                     

    学历学位：研究生/博士                     

    技术职务：研究员                 

    导师类别：博导                   

    工作部门：中国科学院上海技术物理研究所 红外探测全国重点实验室 

    联系电话：021-25051448                  

    电子邮箱：mayingjie@mail.sitp.ac.cn                     　　  

二、工作简历 

    2018.09至今，中国科学院上海技术物理研究所。 现任部门党支部书记。

    2014.07～2018.08,中国科学院上海微系统与信息技术研究所。 

    （其中：2016.07～2018.03,美国加州大学洛杉矶分校访问学者） 　

三、学术兼职 

   现任国际电气电子工程师学会高级会员（IEEE Senior Member），《Electronics》、《Micromachines》期刊客座主编， IPS、IEDS和OSA会员，《Opt. Express》、《Appl. Opt.》等期刊审稿人。

    曾任ICMBE2018、IEEE ECIS2025等国际会议分会主席、组委会委员。

四、科研工作简介   

    主要研究方向为短波红外探测器材料与器件物理、新原理光电器件、单光子雪崩探测器、焦平面探测器组件研究等。主持国家自然科学基金面上、重大基础研究、基础加强重点、中国科学院重点部署等多项项目或课题。参与承担国家重点研发计划、上海市重大基础研究、民口973等项目。在Advanced Optical Materials、IEEE Journal of Selected Topics on Quantum Electronics、IEEE Journal of Lightwave Technology等期刊上发表第一或通讯作者论文31篇，合作发表论文90余篇，它引超650次，H因子14。申请发明专利35件，已授权13件。出版《半导体光谱测试方法与技术》和《硅锗低维材料可控生长》专著2部。 

五、主要获奖成果  

    （1） 空间用铟镓砷焦平面关键技术，中国光学学会技术发明一等奖，2025

    （2） 2-3 微米波段InP 基无锑量子阱激光器材料、器件及应用, 上海市技术发明三等奖, 2015

    （3）上海市青年科技启明星 2021

六、代表性论文专利 

论文

    （1）256 × 2 InGaAsP/InP Geiger-Mode Avalanche Photodiode Arrays With a Triple-Stage Timing to Digital Converter, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2025, 第1作者

    （2）Planar InGaAs Avalanche Photodiode With Multi-Stage InAlAs/InAlGaAs Multiplication

    Structure，IEEE Journal of Quantum Electronics, 2025, 通讯作者 （入选期刊封面文章）

    （3）Enhanced performance of extended wavelength InxGa1-xAs focal plane arrays via compositional overshooting of InxAl1-xAs buffer layer，IEEE Journal of Quantum Electronics, 2025, 通讯作者

    （4）InGaAsP/InP Geiger-Mode Avalanche Photodiode Towards Sub-kHz Dark Count Rate at 20% Photon Detection Efficiency, IEEE Journal of Lightwave Technology, 2022, 第1作者

    （5）Dislocation Evolvement in Metamorphic In0.83Ga0.17As/InP Photodetectors Through Ex-Situ Rapid Thermal Annealing, IEEE Journal of Quantum Electronics, 2022, 通讯作者

    （6）Noise behaviors of SWIR InxGa1-xAs/InP focal plane arrays as a function of lattice-mismatch degree, Infrared Physics & Technology, 2022, 通讯作者

    （7）High Temperature Behaviors of 1–2.5 μm Extended Wavelength In0.83Ga0.17As Photodetectors on InP Substrate, IEEE Journal of Quantum Electronics, 2021, 通讯作者

    （8） 320×256 Extended Wavelength InxGa1-xAs/InP Focal Plane Arrays: Dislocation Defect, Dark Signal and Noise, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2021, 第 1 作者

    （9）Surface Leakage Behaviors of 2.6 μm In0.83Ga0.17As Photodetectors as a Function of Mesa Etching Depth, IEEE Journal of Quantum Electronics, 2020, 通讯作者

    （10）Towards Surface Leakage Free High Fill-Factor Extended Wavelength InGaAs Focal-Plane Arrays, IEEE Journal of Quantum Electronics, 2019, 第 1 作者

    （11）Electron-initiated low noise 1064 nm InGaAsP/InAlAs avalanche photodetectors, Optics Express, 2018, 第 1 作者

    （12）Enhanced Carrier Multiplication in InAs Quantum Dots for Bulk Avalanche Photodetector Applications, Advanced Optical Materials, 2017, 第 1 作者

授权发明专利

    （ 1 ）一种级联降噪平面型雪崩光电二极管和制备方法，发明, 2026，第1作者，专利号：ZL 2025 1 0231540.9

    （ 2 ） 一种小中心距焦平面探测器的铟球阵列制造方法, 发明, 2020, 第 1 作者, 专利号: ZL20201 0623570.1

    （ 3 ） 一种宽谱铟镓砷焦平面的结构及其制备方法, 发明, 2022, 第 3 作者, 专利号:：ZL202210123379.X

    （ 4 ）带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器及制备方法，发明, 2019, 第 7 作者, 专利号:：ZL201910618698.6

    （ 5 ） 一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层生长方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201611153882.0

    （ 6 ） 一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL201510947270.8

    （ 7 ） 一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL201610847176.X

    （ 8 ） 一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL201410729324.9

    （ 9 ） 一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: ZL201510952593.6

发表著作

    （1）硅锗低维材料可控生长，科学出版社（北京），2021-03，第1署名作者

    （2）半导体光谱测试方法与技术, 科学出版社（北京）, 2016-01, 第 3 署名作者

七、培养学生情况  

    截止今年7月，在读博士生2人，在读硕士生2人。

    已毕业博士生1人，已毕业硕士生4人。就业率：100%。

    主要就业去向：华为、上海微电子装备集团等大型企业及科研院所等。