一、基本信息
姓 名:高艳卿
性 别:女
籍 贯:河北
出生年月:1982年1月
毕业院校:中国科学院研究生院
学历学位:研究生/博士
技术职务:副研究员
导师类别:硕导
工作部门:中国科学院上海技术物理研究所 物理室
联系电话:021-25051869
电子邮箱:Gyq_1982@mail.sitp.ac.cn
二、工作简历
2010.03至今, 中国科学院上海技术物理研究所。
三、科研工作简介
主持或参与的研究项目有:1. 中国科学院基础前沿科学研究计划项目,光诱导势阱反常光电效应理论及实验研究(在研项目,参加);2.上海市“一带一路”国际联合实验室项目,高性能太赫兹源及应用研究(在研项目,参加):3. 上海市自然科学基金委员会探索项目,光调控钴镍氧化物薄膜载流子输运特性研究(主持,已结题);4. 国家自然科学基金委员会青年项目,长波远红外探测器用锰钴镍氧化物薄膜的光电性质研究(主持,已结题)。
四、代表性论文专利
1. Mechanism of Cu dopant in transition metal oxide Mn1.56Co(0.96-x)Ni0.48CuxO4+δ(0≤x≤0.2) thin films, Thin Solid Films, 2020, 701: 137935.
2. Infrared optical properties of Mn1.56Co0.96Ni0.48O4 thin films prepared by chemical solution deposition, Applied Physics A-Materials Science & Processing, 2014, 114(3): 829-832.
3. Structural and electrical properties of Mn1.56Co0.96Ni0.48O4 NTC thermistor films, Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology, 2014, 185: 74-78.
4. 碲基室温太赫兹探测器件, 申请号202121001701.9
5. 一种电磁诱导势阱半导体禁带下室温光电导探测器件, 授权号: ZL201710038641 .X.
6. 一种太赫兹线列探测装置, 授权号: ZL201710038485.7.
五、培养学生情况
截止2021年7月,已培养硕士研究生1名。