973 计划“高性能近红外InGaAs探测材料基础研究及其航天应用验证”项目

专题学术交流会顺利召开

根据973 计划“高性能近红外InGaAs探测材料基础研究及其航天应用验证”项目年度工作计划，2013年04月19日，“材料微光敏区参数表征与器件性能的关联性”专题学术研讨会在北京顺利召开。国家自然科学基金委信息学部何杰处长，中科院基础局数学物理处王永祥处长和高技术局综合规划处崔勇主管，973领域咨询组专家王占国院士，项目责任专家屠海令院士、陈皓明教授，项目顾问组专家陈良惠院士、方家熊院士，项目专家组成员宋航研究员、宋国峰研究员，首席科学家龚海梅研究员和课题负责人缪国庆研究员、张永刚研究员、韦欣研究员及学术骨干和研究生三十余人参加了会议。项目第三课题承担单位中科院半导体所陈弘达副所长出席会议并致辞，他热忱欢迎各位专家和学术骨干莅临半导体所参加本次专题学术研讨会，同时表示半导体所一定会全力支持本项目的相关研究工作，并预祝本次学术研讨会取得圆满成功。

龚首席和几位课题负责人分别主持课题进展情况及专题报告部分的汇报。龚首席作项目总体报告，首先感谢各位领导、专家和项目组成员参加此次专题学术交流会，并在报告中明确了本次交流会的主题和目的，介绍了项目中期评估的要求和目前研究进展情况，部署了近期项目研究工作重点和计划。随后，缪国庆研究员、张永刚研究员、韦欣研究员和李雪研究员分别汇报了四个课题研究工作进展情况及下一步工作计划；顾溢副研究员、曾玉刚副研究员等学术骨干和研究生也分别做“材料生长及工艺优化”、“亚波长增强结构”、“器件工艺方法和器件物理”、“波长延伸器件的暗电流研究”、“专用读出电路设计与分析”等八个专题报告。

与会领导和专家就项目和课题研究情况、中期评估目标及所涉及的关键科学问题进行了深入、细致的讨论，一致认为项目团队组织好，凝聚力强，研究工作有明显进展，同时建议在具体研究过程中进一步加强不同课题、不同单位研究人员的紧密合作，把各课题研究集中到项目总目标上来；并关注科学问题的凝练，研究新技术和新方法，如异质材料界面复合速率和失配材料深能级提取、器件暗电流机制、新型材料数据库等，争取在中期评估中取得好成绩。

最后，龚首席作了总结发言。他再次感谢各位领导和专家莅临指导并提出了许多宝贵的建议，感谢半导体所及各课题为此次会议所做的精心准备，表示后续将按照各位领导和专家的意见，进一步将重点聚焦在InGaAs材料缺陷密度、InGaAs探测器暗电流产生的非本征因素、亚波长局域增强新结构和提高器件性能的工艺新方法等方面，为项目中期评估和项目总目标实现奠定基础。为期一天的专题学术交流会短暂而精彩，达到了预期效果！

会议场景

会议合影