龚海梅研究员代表项目第一承担单位和项目组对各位领导和专家莅临指导表示热烈欢迎，并作项目2012年度总结报告。报告中简介了项目的基本情况，汇报了2012年度项目研究内容和预期目标实现情况；总结了项目在探索数字合金插入层缓冲方法抑制高In组分InGaAs材料穿透位错、亚波长结构散射和局域增强机理及提高灵敏度薄吸收层设计、失配体系异质探测材料缺陷的行为及材料低缺陷生长、材料光学参数的表征及波长延伸2.5μm InGaAs器件暗电流机理等方面的研究进展；总结了2012年项目专题讨论和项目管理等方面的工作；介绍了项目管理方面的工作，针对执行过程中存在的问题提出了对策，并部署了2013年度的研究工作。项目本年度共发表学术论文21篇，其中SCI收录13篇；申请发明专利12项，完成专著篇章1篇，获上海市科技进步二等奖1项，全面实现本年度预期目标。

缪国庆研究员、张永刚研究员、韦欣研究员和李雪研究员分别汇报了四个课题本年度研究工作进展情况。各课题按照任务书要求和年度计划，在材料结构设计与功能增强新结构、缓冲层结构优化与材料低缺陷生长、材料光电参数表征和器件工艺新方法与器件物理等方面开展了相关研究工作，在数字合金插入层新结构缓冲层、短周期数字超晶格结构界面层和探测器低温钝化工艺新方法方面有所突破，各课题完成了任务书规定的研究内容，实现预期目标。

与会领导和专家就项目和课题完成情况、所涉及的关键科学问题及后续工作进行了深入的讨论，一致认为在项目首席的精心组织下，在各课题负责人的共同努力下，项目在材料设计、材料生长和表征、器件物理方面取得了较好的进展，实现了项目年度研究内容和预期目标；同时在材料缓冲层设计、亚波长结构仿真、材料少子寿命测试和辐照机理研究等具体问题和实施方案等提出了许多宝贵的建议；并希望围绕项目目标，进一步加强课题之间的交流与合作，做出突破性的工作，发表高质量的学术论文，赢得国际声誉，并从国家重大需求的角度，重点解决关键科学问题，不畏艰难，踏实攻关，为我国的科学技术发展做出贡献！

在项目年度总结会上，评选了本年度优秀课题负责人1名，优秀学术骨干6名，并遴选了优秀学术论文。最后，项目首席龚海梅研究员再次感谢各位领导和专家莅临指导，并为项目提出了宝贵建议，表示2013年度将根据项目目标和专家意见，进一步落实项目实施方案，再接再厉，争取在项目中期评估中取得好成绩！项目2012年度总结会取得了圆满成功！