根据973计划“高性能近红外InGaAs探测材料基础研究及其航天应用验证”项目年度工作安排，2012年3月22日，“失配体系InGaAs材料缺陷密度与探测器暗电流关系”专题学术讨论会在黄山顺利召开。项目责任专家刘治国教授，顾问组专家匡定波院士、方家熊院士，首席科学家龚海梅研究员，课题负责人缪国庆研究员、张永刚研究员、韦欣研究员及学术骨干和研究生三十余人参加了会议。

龚首席与其他课题负责人分别主持了会议。龚首席首先代表项目组感谢各位专家、项目组成员及研究生参加此次研讨会，并作了项目总体报告。报告中总结了项目实施启动会上专家意见，细化了项目总体研究思路和具体方案，进一步明确了项目前两年的研究计划和任务。基于项目的研究主线，介绍了国内外在材料结构设计、生长方法、材料表征和器件验证等方面的研究进展以及此次专题学术讨论会的目的和报告内容，并以生动的语言阐述了创新文化和工程文化的差异，最后表示希望通过此次会议激发项目组的创新灵感，促进项目更好地实施。

缪国庆研究员、张永刚研究员和韦欣研究员分别作“低缺陷密度InGaAs多层材料结构设计与能带分析”、“扩展波长InGaAs探测材料问题与思考”和“InGaAs材料微纳尺度物性表征”的报告，陈建新研究员、俞国林研究员、郭作兴教授、李雪研究员和纪小丽副教授等12名学术骨干及研究生分别在新型近红外材料研究进展、载流子输运、透射电子显微镜表征和器件暗电流调研及初步研究方案等方面进行了学术交流和汇报。

与会专家和学术骨干进行了深入、细致的讨论，一致认为针对探测器暗电流密度低于1nA/cm2的项目目标，需要弄清失配体系InGaAs材料缺陷产生机制、类型及演化机制，研究缺陷表征方法以获得材料缺陷密度，并　　　　　　　　　　　　　关注材料缺陷密度和探测器暗电流的关联性。

最后，龚首席作了总结发言。他再次感谢各位专家莅临指导，感谢各位课题负责人和学术骨干为会议报告所做的精心准备，今后要继续加强交流和沟通，深入开展材料与器件交叉研究，注重重大科学问题的探索，在失配体系InGaAs材料参数数据库、缺陷密度的测量、表/界面态的测量及其与器件主要参数关联性等方面建立研究计划和实验方案，加快项目研究进度，实现预期目标。

整整一天的专题学术交流会短暂而精彩，大家以项目研究主线为主题畅所欲言，讨论热烈，为项目的具体运行提供了有价值的建议和具体的实施方案，实现了预期目的，达到了预期效果！